2SA965-Y(TE6,F,M) datasheet
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>> 2SA965-Y(TE6,F,M) 两极晶体管 - BJT Transistor PNP, 120V, 0.8A datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
2SA965-Y(TE6,F,M)
库存数量:
可订货
制造商:
Toshiba
描述:
两极晶体管 - BJT Transistor PNP, 120V, 0.8A
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述
两极晶体管 - BJT Transistor PNP, 120V, 0.8A
2SA965-Y(TE6,F,M) PDF下载
制造商
Toshiba
配置
晶体管极性
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
相关资料
属性
链接
代理商
2SA965-Y(TE6,F,M)
2SA968
2SA968A-Y
2SA968-Y
2SA970-BL/2SC2240-
2SA970-GR
供应商
公司名
电话
北京首天伟业科技有限公司
010-62565447
刘先生
深圳市司马科技有限公司
13533399478
陈义
深圳市逸睿信息科技有限公司
0755-82899329
微信同号18902486285
深圳市特瑞斯科技有限公司
0755-82774819
李先生
深圳市深创盛科技有限公司
0755-82771301
黄小姐.朱先生.寒小姐
2SA965-Y(TE6,F,M) 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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